蝕刻機和光刻機的區別
發表時間：2019-08-20 15:24:12
刻蝕機和光刻機的區別：光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要精確到納米。現在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發。
我們是受到技術禁運的，不能買他最先進的產品，國內上海量產的是90納米的光刻機。技術上有差距。2017年，長春光機所“極紫外光”技術獲得突破，預計能達到22-32納米，技術差距縮小了。
我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研制出世界一流的光刻機，不再被卡脖子。核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足于自己。科技的攻關要摒棄幻想，靠我們自己。
我們刻蝕機技術已經突破，5納米的刻蝕機我們也能自主生產，現在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然后反復循環幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。
什么是光刻機
光刻機（Mask Aligner） 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
我們是受到技術禁運的，不能買他最先進的產品，國內上海量產的是90納米的光刻機。技術上有差距。2017年，長春光機所“極紫外光”技術獲得突破，預計能達到22-32納米，技術差距縮小了。
我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研制出世界一流的光刻機，不再被卡脖子。核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足于自己。科技的攻關要摒棄幻想，靠我們自己。
我們刻蝕機技術已經突破，5納米的刻蝕機我們也能自主生產，現在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然后反復循環幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。
什么是光刻機
光刻機（Mask Aligner） 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
